特許
J-GLOBAL ID：200903099743241160
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-031616
公開番号（公開出願番号）：特開平11-086576
出願日： 1998年02月13日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】 不揮発性半導体記憶装置(フラッシュメモリ)は消去動作に長時間を要するため、デュアルオペレーション機能を有する不揮発性半導体記憶装置が提案されているが、分割されるメモリセルアレイのビット構成を可変にすることができなかった。【解決手段】 電気的に書き込みおよび消去が可能な不揮発性半導体記憶装置であって、複数のメモリセルMCがマトリクス状に配置されたメモリセルアレイ1を、各ビット線の任意の位置で切り離して所望の大きさを有する複数のメモリセルブロック11,12で構成する。
請求項（抜粋）：
電気的に書き込みおよび消去が可能な不揮発性半導体記憶装置であって、複数のメモリセルがマトリクス状に配置されたメモリセルアレイを、各ビット線の任意の位置で切り離して所望の大きさを有する複数のメモリセルブロックで構成するようにしたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (6件)：
G11C 16/02
, H01L 21/82
, H01L 27/115
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
G11C 17/00 612 F
, G11C 17/00 613
, H01L 21/82 F
, H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
