特許
J-GLOBAL ID：200903099749123160
半導体基板とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-193070
公開番号（公開出願番号）：特開平7-029825
出願日： 1993年07月08日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：
【要約】【目的】 基板上に異種化合物半導体を高品質に量産性よく成長させることができるようにする。千度を越える高温の熱処理をしなくてもすむようにする。【構成】 Si基板1を洗浄し、Asを高濃度に(50keVで1×1016cm-2程度)イオン注入する。アンモニア水と過酸化水素水との混合溶液で処理して基板表面に結合の弱い酸化膜を形成する。MBE(分子線エピタキシー)装置内に導入し、Asビームをあてながら850°C、20分の熱処理を行って表面の酸化膜を除去すると共にイオン注入された表面の結晶性を整える。Asビームをあてながら基板温度を550°Cにまで下げ、Asイオン注入拡散層2上にn型(Siドープ)GaAs結晶成長層3を形成する。
請求項（抜粋）：
基板と、該基板上に形成された該基板の材料とは異種の材料からなる化合物半導体の結晶成長層と、を有し、前記基板の表面領域内には前記化合物半導体を構成する1または複数の元素が高濃度にイオン注入された拡散層が形成されていることを特徴とする半導体基板。
IPC (3件)：
H01L 21/203
, H01L 21/20
, H01L 29/205
