特許

J-GLOBAL ID：200903099749218250

基板支持装置、基板支持・運搬装置、及び基板裏側への被着防止方法

発明者： マイケル・イー・トーマス ,  エバーハーダス・ピー・バンデ・バン ,  エリオット・ケイ・ブロードベント
出願人/特許権者： ノベラス・システムズ・インコーポレイテッド ,  ナショナル・セミコンダクター・コーポレイション
代理人 (1件)： 大島 陽一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-201315
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283431
出願日： 1991年07月16日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】【目的】 タングステン他の金属及びケイ化物等の成膜時にCVD反応器内のウエハの裏側にアルゴン等の適当な不活性熱ガスを導入して、ウエハ裏側への被着を防止する。【構成】 各処理ステーションはプラテンの上方に配置されたガス分散ヘッドを有する。プラテンはウエハを受容する円形凹所と、その床面の周壁近傍に設けられた環状溝とを有する。加熱加圧された背面ガスが環状溝内に導入されてウエハを凹所内で床面より上方に維持し、かつプラテン上のウエハ縁部の下側から流出して、プロセスガスのウエハ裏側への接触を防止する。また、背面ガスを用いてウエハを浮揚させ、適当なウエハ移送機構によってプラテンへまたはプラテンから運搬することができる。

請求項（抜粋）：

反応室に於て基板を支持するための装置であって、基板保持手段を有するプラテンを備え、該基板保持手段によって前記基板が前記プラテンの表面部分の上方に保持され、かつ前記プラテン表面部分に対して処理される前記基板の縁部が十分に密封されないようになっており、更に支持された前記基板の表側に対して裏側に正の圧力差が生じるようにガスを導入するために前記プラテン表面部分に設けられたガス分散装置を備えることを特徴とする基板支持装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/285 301

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭61-039520
  
• 特開平2-308520
  
• 特願平3-201316
  出願番号：特願平3-201316