特許

J-GLOBAL ID：200903099749443300

半導体マイクロリレー及びその製造方法

発明者： 吉田 仁
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 安藤 淳二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-361975
公開番号（公開出願番号）：特開2002-170470
出願日： 2000年11月28日
公開日（公表日）： 2002年06月14日
要約：

【要約】【課題】 構造設計上の制約を受けることなく比較的簡便な製造工程にて製造可能な縦開閉型の半導体マイクロリレー及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1と、この基板上に形成された絶縁層7と、この絶縁層7上にメッキにより形成された固定導電部21と、この固定導電部21と電気的に分離した状態で間隔をあけて対向するようメッキにより形成された梁状の可動導電部31と、上記固定導電部21よりも上位に立ち上がって上記可動導電部31の一部に連結され該可動導電部31を上記基板1に対し物理的に支持する支持部51と、上記可動導電部31上に形成され該可動導電部31の一部を上記固定導電部21に電気的に導通するよう上記半導体基板1の基板面の鉛直方向に撓ませる作動部8と、を備える。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この基板上に形成された絶縁層と、この絶縁層上にメッキにより形成された固定導電部と、この固定導電部と電気的に分離した状態で間隔をあけて対向するようメッキにより形成された梁状の可動導電部と、上記固定導電部よりも上位に立ち上がって上記可動導電部の一部に連結され該可動導電部を上記基板に対し物理的に支持する支持部と、上記可動導電部上に形成され該可動導電部の一部を上記固定導電部に電気的に導通するよう上記半導体基板の基板面の鉛直方向に撓ませる作動部と、を備えたことを特徴とする半導体マイクロリレー。

IPC (8件)：

H01H 57/00 ,  B81B 3/00 ,  B81C 1/00 ,  H01H 37/14 ,  H01H 37/32 ,  H01H 37/52 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/22

FI (8件)：

H01H 57/00 A ,  B81B 3/00 ,  B81C 1/00 ,  H01H 37/14 ,  H01H 37/32 C ,  H01H 37/52 A ,  H01L 41/08 U ,  H01L 41/22 Z

Fターム (5件)：

5G041AA20 ,  5G041CA02 ,  5G041CE03 ,  5G041DA01 ,  5G041DC20