特許
J-GLOBAL ID：200903099752548015
レジストパターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-353713
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201722
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】 化学増幅型のネガ型レジスト材を使用したレジストパターンにおいて、その高解像性を維持しながら耐熱性の向上を図り得るレジストパターン形成方法を実現する。【構成】 基板1上にレジスト膜2を形成する工程(a)、フォトマスク3を介して光4を照射し露光を行う工程(b)、露光部2aを後工程の現像液に対して不溶化させる100°C約1分間のベークを行う工程(c)、アルカリ性現像液で未露光部2bを除去して現像を行う工程(d)、および露光部2aの熱架橋反応を促進させる120°C5分間のベークを行う工程(e)からなっている。
請求項（抜粋）：
アルカリ可溶性のベース樹脂、架橋剤および光酸発生剤からなる化学増幅型のネガ型レジスト材を被加工基板に塗布してレジスト被膜を形成する工程、上記レジスト被膜に所定パターンのフォトマスクを介して光を照射し露光を行う工程、露光後、後工程の現像による解像度を最良とするため設定された温度でベークを行う工程、および上記レジスト被膜の未露光部を除去する現像を行う工程を含むレジストパターン形成方法において、上記現像工程後、上記ベーク温度より10〜30°C高い温度で加熱する工程を付加したことを特徴とするレジストパターン形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/38 511
, G03F 7/40 501
H01L 21/30 571
, H01L 21/30 568
