特許

J-GLOBAL ID：200903099754786720

半導体レーザ装置及び光ピックアップ装置

発明者： 安達 一彦
出願人/特許権者： 株式会社リコー
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-028368
公開番号（公開出願番号）：特開2002-232063
出願日： 2001年02月05日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：

【要約】【課題】本発明は複数の半導体レーザを一つのパッケージに収めた安価で小型の半導体レーザ装置及び半導体レーザ装置を光源とする光ピックアップ装置を提供する。【解決手段】光ピックアップ装置1は、サブマウント2上に所定間隔空けて2つのアノード用電極3が形成され、各電極3上にそのアノード側をダイボンディング面としてそれぞれ略並行に第1の半導体レーザチップ4と第2の半導体レーザチップ5が実装されている。各半導体レーザチップ4、5は、その相対向する端部が、電極3間の内側方向に、それぞれ所定量が各電極3の端部から突き出した状態で配置されている。したがって、半導体レーザ装置1は、2つの半導体レーザチップ4、5の発光点7、8間隔が狭く、安価で小型化のものとなる。

請求項（抜粋）：

一つの絶縁性サブマウント上に所定間隔空けて第1の電極と第2の電極が形成され、当該第1の電極と第2の電極上に、第1の半導体レーザチップと第2の半導体レーザチップが、アノード側をダイボンディング面としてそれぞれ略並行に実装されている半導体レーザ装置において、前記第1の半導体レーザチップと前記第2の半導体レーザチップは、その相対向する端部が、前記第1の電極と前記第2の電極との間の内側方向に、それぞれ所定量が前記第1の電極と前記第2の電極の端部から突き出した状態で配置されていることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (4件)：

H01S 5/022 ,  G11B 7/125 ,  G11B 7/13 ,  H01S 5/40

FI (4件)：

H01S 5/022 ,  G11B 7/125 A ,  G11B 7/13 ,  H01S 5/40

Fターム (24件)：

5D119AA01 ,  5D119AA40 ,  5D119AA41 ,  5D119BA01 ,  5D119BB01 ,  5D119BB04 ,  5D119EC45 ,  5D119EC47 ,  5D119FA08 ,  5D119FA17 ,  5D119KA02 ,  5D119LB06 ,  5F073AA04 ,  5F073AB06 ,  5F073AB21 ,  5F073BA05 ,  5F073CA05 ,  5F073CB02 ,  5F073EA06 ,  5F073EA29 ,  5F073FA03 ,  5F073FA05 ,  5F073FA13 ,  5F073FA18