MOS型半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：内原晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-185993
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029345
出願日： 1991年07月25日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：

【要約】【目的】多結晶シリコン電極上に高融点金属シリサイド膜を積層したMOS型半導体装置において、多結晶シリコン電極形成時のエッチングで生じるアンダーカットによるトランジスタ特性の劣化を防止する。【構成】多結晶シリコン膜3aにより第1の電極を形成した後、高融点金属シリサイド膜4,酸化シリコン膜6を形成する。酸化シリコン膜6を異方性エッチングしてサイドウォオール6aを形成する。サイドウォール6aおよびフォトレジスト膜10をマスクにしたエッチングにより高融点金属シイサイド膜4aを形成し、第1の電極とシリサイド膜4aとからなる第2の電極(ゲート電極)を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板に酸化シリコン膜を介して第1電極を形成する工程と、前記第1電極上に導電膜を形成し、さらに前記導電膜上に形成した膜を異方性エッチングしてサイドウォールを形成する工程と、前記第1電極上並びに前記サイドウォールに覆われた部分を除く前記導電膜をエッチングして、前記第1電極と前記導電膜とからなる第2電極を形成する工程と、前記サイドウォールにより自己整合的に高濃度拡散層を形成する工程と、を含むことを特徴とするMOS型半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 , H01L 29/784 , H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 29/78 301 P , H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平3-148835
特開平3-141644
特開平2-304979

前のページに戻る