薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：阪本清孝 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-025930
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224434
出願日： 1993年01月22日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：

【要約】【目的】イオン注入工程のマスクずれに対する許容度を大きくし、チャネル領域とソース領域及びドレイン領域との間に形成される各々のオフセット領域の長さを等しくでき、ソース・ドレインの反転に対して特性が対称となる薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。【構成】コの字状の半導体活性層2を横切るようにゲート電極4が形成され、ゲート電極4の下部がチャネル領域2c,2c′となり、コの字状の終端方向でゲート電極4に対して同一方向にソース領域2aとドレイン領域2bが形成され、チャネル領域2c,2c′とソース領域2a及びドレイン領域2bとの間にオフセット領域2d,2eが形成され、ゲート電極4に対してソース・ドレインとは反対側の半導体活性層2が高濃度の不純物が注入されて低抵抗領域である薄膜トランジスタ及びその製造方法である。

請求項（抜粋）：

第1の半導体活性層と、第2の半導体活性層と、前記第1及び前記第2の半導体活性層を横切るように絶縁層を介して形成されたゲート電極とを有し、前記第1及び前記第2の半導体活性層の前記ゲート電極の下部にチャネル領域が形成され、前記第1及び前記第2の半導体活性層の前記ゲート電極に対して同一方向に電極領域が形成され、前記チャネル領域と前記電極領域との間にオフセット領域が形成され、前記ゲート電極に対して前記電極領域が形成された方向とは反対方向で前記第1の半導体活性層と前記第2の半導体活性層とが導電層で接続されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/784 , G02F 1/136 500

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開昭63-151083
特開昭58-115864
特開昭64-089464

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審査官引用 (5件)

特開昭63-151083
特開昭58-115864
特開昭64-089464

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