半導体メモリセル及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村純之助 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-264814
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218347
出願日： 1992年10月02日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】金属配線層の加工精度を向上させることのできる構成の半導体メモリセル及びその製造方法を提供すること。【構成】上記目的は、記憶電極、誘電体層及びプレート電極からなるコンデンサをビット線上に形成した一次金属配線と最終金属配線との間に配置してなることを特徴とする半導体メモリセルとすることによって達成することができる。

請求項（抜粋）：