特許
J-GLOBAL ID：200903099768891836
半導体装置用絶縁膜の堆積方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-015028
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232113
出願日： 1993年02月02日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：
【要約】【目的】プラズマCVD法により、集積回路用絶縁保護膜としてストレス面で集積回路に悪影響のない程度の内部応力となり、外部からの腐蝕性薬品に対する耐蝕性や耐透水性の高い膜の堆積方法を提供する。【構成】ECRプラズマCVD用装置を用い、集積回路をまず低応力性で段差被覆性の良い酸化シリコン膜で覆い、次いで酸化シリコン膜から耐薬品性や耐透水性の高い窒化シリコン膜へと連続的に遷移させた膜を堆積し、その上に窒化シリコン膜を堆積させる。
請求項（抜粋）：
半導体装置がつくりこまれたウエハ面にプラズマCVD法により絶縁膜を堆積する方法であって、絶縁膜の形成に与かる雰囲気ガス中の一部を電子サイクロトロン共鳴法によりプラズマ化して残りのガスと反応させることにより絶縁膜を堆積させようとする装置にあって、まず酸化シリコン膜を堆積し、次いで酸化シリコン膜から窒化シリコン膜へと連続的に遷移させた膜を堆積し、その上に窒化シリコン膜を堆積させることを特徴とする半導体装置用絶縁膜の堆積方法。
IPC (4件)：
H01L 21/31
, H01L 21/316
, H01L 21/318
, H05H 1/46
