特許

J-GLOBAL ID：200903099774230922

半導体発光素子及びその製造方法

発明者： 中津 弘志 ,  佐々木 和明 ,  山本 修 ,  山本 三郎
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-036479
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235408
出願日： 1992年02月24日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】 上部電極の直下の活性層に電流阻止層を1回のエピタキシャル成長時に選択的に形成し、工程を単純化して生産性を良くしコスト安に製造する。また、再結晶準位を少なくして結晶性をよくすることにより発光効率を高くし、高抵抗層の生成を防ぎ発光ダイオードの特性を改善する。【構成】 エピタキシャル成長時に外部から光を選択的に照射して、活性層13の上方または下方の電流拡散層15にPN反転を起させ、上部電極17の直下部分に電流阻止部20aを形成し、直下部分以外の領域に電流通過部20bを選択的に形成する。

請求項（抜粋）：

基板の上にpn接合して形成された発光層と、外部から選択的に光励起してp型に反転された電流通過部、及び上部電極の直下部分に光励起していないn型の電流阻止部を該発光層の上に積層した電流選択層と、該電流選択層の上に積層された電流を注入する電流拡散層と、を具備した半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-089568
  
• 特開平1-120085
  
• 特開昭63-036588
  
• 特開昭62-145888