電荷転送装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮井暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-165655
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022610
出願日： 1993年07月05日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：

【要約】【目的】転送効率を劣化するくことなく取扱い電荷量を増大でき、またポテンシャルの制御および安定化が容易であり、しかもプロセス上実現が容易で、低電圧化にも十分対応できる電荷転送装置およびその製造方法を提供する【構成】電荷転送装置は、基板1と、この基板1に形成された埋め込みチャンネル領域3と、基板1の表面に形成されたゲート絶縁膜2とを備え、埋め込みチャンネル3の不純物濃度分布のピーク値が基板1の内部にあるようにしている。また電荷転送装置の製造方法は、基板1にゲート絶縁膜2を形成した後、イオン注入することにより基板1内に埋め込みチャンネルを形成するものである。

請求項（抜粋）：

基板と、この基板に形成された埋め込みチャンネル領域と、前記基板の表面に形成されたゲート絶縁膜とを備え、前記埋め込みチャンネルの不純物濃度分布のピーク値が前記基板の内部にあることを特徴とする電荷転送装置。

IPC (2件)：

H01L 29/762 , H01L 21/339

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-227027
特開昭50-067591
特開平1-185970

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