特許
J-GLOBAL ID：200903099781180965
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-347710
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204237
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【目的】 信頼性を劣化させることなく所望の電気的特性を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 ゲート酸化膜5を除去し、除去した部分を酸化することによりゲート電極8のエッジ部とP型半導体基板3のLDD領域10のエッジ部に対応する部分との間にバーズビーク15aが形成された酸化膜15を形成する。
請求項（抜粋）：
P型半導体基板上にゲート電極を形成する工程と、上記P型半導体基板上にN型不純物のイオンを注入することによりLDD領域を形成する工程と、ゲート酸化膜を除去し、除去した部分を酸化することにより上記ゲート電極のエッジ部と上記P型半導体基板の上記LDD領域の上記エッジ部に対応する部分との間にバーズビークが形成された酸化膜を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
