特許

J-GLOBAL ID：200903099783189226

化学的気相成長装置及び薄膜成膜方法

発明者： 三好 陽介
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 西村 征生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-315213
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150498
出願日： 1998年11月05日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】 成膜処理終了後に触媒体に影響を与えることなく反応室内のクリーニング処理を行なう。【解決手段】 開示される化学的気相成長装置は、石英などからなる反応室1内に、セラミックスなどの耐熱性絶縁材料からなる円筒状の触媒体ホルダ2と、この触媒体ホルダ2の周囲に設けられて触媒体ホルダ2の半導体基板側に位置している開口部3を開閉するシャッタ4と、触媒体ホルダ2の周囲に設けられてシャッタ4を閉じたときに反応室1内をクリーニングするクリーニング装置5とを備えている。

請求項（抜粋）：

成膜処理すべき基板を搬入する反応室内に触媒体を設置し、前記反応室内に原料ガスを導入して該原料ガスと前記触媒体とを反応させて前記基板上に所望の薄膜を成膜する化学的気相成長装置であって、前記反応室内に設けられて前記触媒体を内壁に取り付ける円筒状の触媒体ホルダと、該触媒体ホルダの周囲に設けられて該触媒体ホルダの前記基板側に位置している開口部を開閉するシャッタと、前記触媒体ホルダの周囲に設けられて前記シャッタが前記開口部を閉じたときに前記反応室内をクリーニングするクリーニング装置とを備えたことを特徴とする化学的気相成長装置。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/285

FI (3件)：

H01L 21/31 B ,  C23C 16/44 J ,  H01L 21/285 C

Fターム (35件)：

4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030BA29 ,  4K030BA30 ,  4K030BA35 ,  4K030BA40 ,  4K030BA43 ,  4K030BA44 ,  4K030DA06 ,  4K030EA06 ,  4K030FA02 ,  4K030FA03 ,  4K030FA04 ,  4K030FA17 ,  4K030KA12 ,  4K030KA20 ,  4K030KA49 ,  4K030LA15 ,  4M104BB01 ,  4M104DD44 ,  4M104HH20 ,  5F045AA10 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE17 ,  5F045DP03 ,  5F045EB06 ,  5F045EF18 ,  5F045EH17 ,  5F045HA13 ,  5F045HA23