特許

J-GLOBAL ID：200903099784889779

電子デバイスの製造方法

発明者： 山本 和彦
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (6件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  原田 智雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-312154
公開番号（公開出願番号）：特開2005-079563
出願日： 2003年09月04日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：

【課題】 high-kゲート絶縁膜の誘電率を高く維持しながら移動度の劣化を防止する。 【解決手段】 実質的に酸素を含まない雰囲気中において、シリコン基板1上に金属膜12を形成する。続いて、酸素を含む雰囲気中において、金属膜12を酸化させることにより、ゲート絶縁膜となる金属酸化膜2を形成する。金属酸化膜2の形成時に、シリコン基板1の表面を酸化させることにより、界面層3となるシリコン酸化膜を形成する。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

実質的に酸素を含まない雰囲気中において、シリコン領域の上に金属膜を堆積する工程と、 酸素を含む雰囲気中において、前記金属膜を酸化させることにより、ゲート絶縁膜となる金属酸化膜を形成する工程とを備え、 前記金属酸化膜を形成する工程は、前記シリコン領域の表面を酸化させることにより、シリコン酸化膜を形成する工程を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。

IPC (2件)：

H01L29/78 ,  H01L21/316

FI (2件)：

H01L29/78 301G ,  H01L21/316 C

Fターム (29件)：

5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BE03 ,  5F058BF07 ,  5F058BF29 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA05 ,  5F140AA19 ,  5F140AC39 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BD17 ,  5F140BE01 ,  5F140BE02 ,  5F140BE03 ,  5F140BE07 ,  5F140BE17 ,  5F140BG08 ,  5F140BG28 ,  5F140BG31 ,  5F140BG38 ,  5F140BH15