特許
J-GLOBAL ID：200903099786277169
サージ吸収素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-310691
公開番号（公開出願番号）：特開平11-144835
出願日： 1997年11月12日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】【課題】 複雑な構造を必要とせずに,小型化やSMD対応化が容易で,しかも静電容量の小さいサージ吸収素子とその製造方法とを提供すること。【解決手段】 サージ吸収素子は,サージ吸収素子構造体10を含む。このサージ吸収素子構造体10は,面内に少なくとも1個の貫通孔2を有する絶縁体平板1と,2個の電極層3とを有する。電極層3は,絶縁体平板1面の一辺から貫通孔2の外周辺にかけて,帯状に形成された導電性材料からなる。この2個の電極層3は,互いに電気的に絶縁した状態で,前記絶縁体平板1両面に板面垂直投影面上で重なり合わないように形成されている。
請求項（抜粋）：
面内に少なくとも1個の貫通孔を有する絶縁体平板面上に,この平板面の一辺から前記貫通孔の外周辺にかけて,帯状に形成された導電性材料からなる2個の電極層を,互いに電気的に絶縁した状態で,前記絶縁体平板両面に板面垂直投影面上で重なり合わないように形成したサージ吸収素子構造体を含むことを特徴とするサージ吸収素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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