特許

J-GLOBAL ID：200903099787242610

半導体レーザ素子

発明者： 岩井 則広 ,  粕川 秋彦
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-025735
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190980
出願日： 1992年01月14日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：

【要約】【目的】 製作歩留まりがよく、信頼性が向上した高速型半導体レーザ素子を提供する。【構成】 活性層3の両側をpn接合を有する電流狭窄半導体層4、5で埋め込んだ半導体レーザ素子において、イオン注入により電流狭窄半導体層4、5の電気抵抗を高くする。

請求項（抜粋）：

活性層の両側をpn接合を有する電流狭窄半導体層で埋め込んだ半導体レーザ素子において、電流狭窄半導体層はイオン注入により高電気抵抗化されていることを特徴とする半導体レーザ素子。