特許

J-GLOBAL ID：200903099790126418

酸化物薄膜形成用金属アセチルアセトナト錯体

発明者： 岡崎 高志 ,  徳留 功一 ,  原田 武昭 ,  馬場 康徳
出願人/特許権者： 東ソー・アクゾ株式会社
代理人 (1件)： 箕浦 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-332969
公開番号（公開出願番号）：特開平5-106045
出願日： 1991年10月17日
公開日（公表日）： 1993年04月27日
要約：

【要約】【構成】 一般式(式中Mはn価の金属である)で示されるアセチルアセトンを配位子とする金属錯体とオルトフェナントロリン誘導体の付加体または2,2’-ビピリジル誘導体の付加体からなる酸化物薄膜形成用金属アセチルアセトナト錯体。【効果】 気相堆積法等において酸化物薄膜を低温で、安全且つ再現性よく形成することが可能となる。

請求項（抜粋）：

-般式(式中Mはn価の金属である)で示されるアセチルアセトンを配位子とする金属錯体とオルトフェナントロリン誘導体の付加体または2,2′-ビピリジル誘導体の付加体から成ることを特徴とする酸化物薄膜形成用金属アセチルアセトナト錯体。