特許

J-GLOBAL ID：200903099798058764

半導体サンプルのエッチング装置及び昇華によるガスの供給源

発明者： レボイッツ,カイル,エス ,  ミグリウオロ,ミシェル
出願人/特許権者： ザクティクス・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 加藤 紘一郎
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-529810
公開番号（公開出願番号）：特表2004-525253
出願日： 2001年09月17日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：

半導体サンプルのエッチング装置は、エッチングチェンバー及び弗化キセノンのようなエッチングガスの供給源と流体連通関係にある、1個またはそれ以上の可変体積膨張チェンバー、2個またはそれ以上の固体体積膨張チェンバー、またはそれらの組み合わせを有する。この装置は、混合ガス供給源を含むことがある。エッチング装置は、エッチングガス供給源、その供給源と流体連通関係にあるエッチングチェンバー、エッチングガス供給源とエッチングチェンバーとの間に接続された流れ制御器、及びエッチングチェンバーと流体連通関係にある真空ポンプとを含む。固体物質から昇華によりガスを供給する供給源は、空密容器と空密容器内部のメッシュとより成り、このメッシュは固体物質を受けてそれを拘束する構成である。

請求項（抜粋）：

エッチングを施すサンプルを受けるエッチングチェンバーと、 エッチングガスの供給源と、 へこみ自在の可変体積膨張チェンバーとより成り、膨張チェンバーはエッチングガス供給源及びエッチングチェンバーと選択的な流体連通関係にあるエッチング装置。

IPC (2件)：

C23F4/00 ,  H01L21/302

FI (2件)：

C23F4/00 A ,  H01L21/302 201A

Fターム (21件)：

4K057DA13 ,  4K057DB06 ,  4K057DE06 ,  4K057DE14 ,  4K057DG06 ,  4K057DG13 ,  4K057DJ06 ,  4K057DJ07 ,  4K057DM37 ,  4K057DM38 ,  4K057DN01 ,  5F004BA19 ,  5F004BC02 ,  5F004BC03 ,  5F004BC08 ,  5F004CA02 ,  5F004CB03 ,  5F004DA19 ,  5F004DA25 ,  5F004DB01 ,  5F004EA28

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 被加工物のエッチング方法とその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-128453   出願人：サーフィステクノロジーシステムズリミテッド
• 特開昭60-065534
  
• 特開昭55-028389