特許

J-GLOBAL ID：200903099798537697

薄膜の形成方法及び薄膜形成装置

発明者： 赤堀 孝
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-268808
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211134
出願日： 1992年10月07日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：

【要約】【構成】 有磁場プラズマCVD法においてTiCl4 、H2及びArガスを使用して基板温度1000°C以下の条件下、半導体基板上にTi膜を形成することを特徴とする薄膜の形成方法。【効果】 低温でTi膜あるいはTiリッチなTiN膜をコンタクト部に形成することができ、安定したコンタクトを形成することができる。

請求項（抜粋）：

有磁場プラズマCVD法において TiCl4とH2または TiCl4とH2とArガスとを使用し、基板上にTi膜を形成することを特徴とする薄膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  C23C 16/14 ,  C23C 16/50