特許
J-GLOBAL ID：200903099798741650
分布反射型半導体レーザ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 龍太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-182981
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005980
出願日： 1992年06月17日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：
【要約】【目的】波長制御領域のみ加熱し、発光領域に対して加熱することがないので、素子の寿命を維持しつつ、スペクトル線幅の大きな劣化もなく、波長が変化させることができる分布反射型半導体レーザを提供する。【構成】半導体基板上に、発光領域11と、波長制御領域14とがレーザ共振軸方向につらなって形成されている分布反射型半導体レーザであって、発光領域は波長可変領域から熱的に独立し、かつ波長制御領域の上部には、波長制御領域を加熱するための加熱手段9を備えている。
請求項（抜粋）：
半導体基板(1)上に、発光領域(11)と、波長制御領域(14)とがレーザ共振軸方向につらなって形成されている分布反射型半導体レーザにおいて、前記発光領域は前記波長制御領域から熱的に独立し、かつ前記波長制御領域の上部には、前記波長制御領域を加熱するための加熱手段(9)を備えたことを特徴とする分布反射型半導体レーザ。
引用特許：
前のページに戻る
