特許
J-GLOBAL ID：200903099798824599

測定チップおよびその作製方法

発明者：
野村 能光

野村 能光 について


出願人/特許権者：
富士写真光機株式会社

富士写真光機株式会社 について


代理人 (1件)： 柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-299568
公開番号（公開出願番号）：特開2003-106991
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2003年04月09日
要約：
【要約】【課題】 表面プラズモン共鳴測定装置等の、全反射減衰を利用した測定装置に用いられる測定チップにおいて、その樹脂製誘電体ブロックの薄膜層が形成される一面の平面度を高く保ち、また、樹脂の合流面ができることによる強度低下を防止する。【解決手段】 誘電体ブロックを樹脂を用いて射出成形する際に、薄膜層が形成される一面を規定する型面4aに対向する位置に樹脂導入用ゲートGを配して射出成形する。
請求項（抜粋）：
誘電体ブロックと、この誘電体ブロックの一面に形成されて試料に接触させられる薄膜層と、光ビームを発生させる光源と、前記光ビームを前記誘電体ブロックに対して、該誘電体ブロックと前記薄膜層との界面で全反射条件となり、かつ、種々の入射角成分を含むようにして入射させる光学系と、前記界面で全反射した光ビームの強度を測定して全反射減衰の状態を検出する光検出手段とを備えてなる、全反射減衰を利用した測定装置に用いられる測定チップであって、前記誘電体ブロックが、前記光ビームの入射面、出射面および前記薄膜層が形成される一面の全てを含む1つのブロックとして樹脂から形成され、この誘電体ブロックに前記薄膜層が一体化されてなる測定チップの作製方法において、前記誘電体ブロックを、前記薄膜層が形成される一面を規定する型面に対向する位置に樹脂導入用ゲートを配して射出成形することを特徴とする測定チップの作製方法。
IPC (5件)：
G01N 21/03 ,  G01N 21/01 ,  G01N 21/13 ,  G01N 21/27 ,  G01N 35/04
FI (5件)：
G01N 21/03 Z ,  G01N 21/01 B ,  G01N 21/13 ,  G01N 21/27 C ,  G01N 35/04 A
Fターム (30件)：
2G057AA02 ,  2G057AB04 ,  2G057AB07 ,  2G057AC01 ,  2G057BA01 ,  2G057BB06 ,  2G057BB08 ,  2G057HA04 ,  2G058AA02 ,  2G058CD04 ,  2G058CF12 ,  2G058GA02 ,  2G059AA01 ,  2G059BB04 ,  2G059BB12 ,  2G059CC16 ,  2G059DD12 ,  2G059DD13 ,  2G059EE02 ,  2G059EE05 ,  2G059GG01 ,  2G059GG04 ,  2G059JJ11 ,  2G059JJ17 ,  2G059JJ19 ,  2G059JJ20 ,  2G059KK01 ,  2G059KK04 ,  2G059MM03 ,  2G059PP04
引用特許：
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM