特許
J-GLOBAL ID：200903099803803813
配線基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-236464
公開番号（公開出願番号）：特開平8-102581
出願日： 1994年09月30日
公開日（公表日）： 1996年04月16日
要約：
【要約】【目的】熱処理後においても、接続パッドの低応力化を保存するプロセスの構築。【構成】光沢剤等の有機物を含有しためっき液にて、あるいは炭酸ガスでめっき液撹拌をしながらめっきした低応力Cuめっき膜に対して、さらにその上に低応力保存膜を形成する。
請求項（抜粋）：
内部にスルーホールビア導体を備えた配線基板、あるいは前記配線基板上に導体層と絶縁層を交互に積層した薄膜配線層を備えた多層配線基板の製造方法において、スルーホールビア導体とLSIチップとの接続時に、接続パッド部分を低応力めっき法により形成する工程および前記形成された接続パッド部分を低応力保存膜でめっきする工程を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
IPC (3件)：
H05K 3/24
, H05K 3/34 501
, H05K 3/46
