特許

J-GLOBAL ID：200903099804555430

半導体製造装置のクリーニング方法

発明者： 角田 茂 ,  佐々木 一郎 ,  上村 隆 ,  佐々木 新治 ,  大坪 徹
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-159481
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012593
出願日： 1996年06月20日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】プラズマを用いた半導体製造装置のクリーニングを行う際に、実際のプロセスに悪影響を及ぼさずに、真空容器内の不要堆積物を確実に除去する方法とその装置及びクリーニングウェハを提供する。【解決手段】プラズマを用いた半導体デバイス製造装置の真空容器4の内壁面の不要堆積物を除去する際に、使用するウェハ5の面積に対する真空容器4の内壁のプラズマに接する部分の表面積比がxであるときに、真空容器4の内壁の不要堆積物のエッチング速度に対する比がx/100以上x/10以下のエッチング速度を持つ材質で表面又は全体が形成されたウェハ5をウェハステージ6に置いてクリーニングを行う。

請求項（抜粋）：

プラズマを用いた半導体デバイス製造装置の真空容器の内壁面の不要堆積物を除去する際に、使用するダミーウェハの面積に対する前記真空容器の内壁の前記プラズマに接する部分の表面積比がxであるときに、前記真空容器の内壁の前記不要堆積物のエッチング速度に対する比がx/100以上x/10以下のエッチング速度を持つ材質で表面又は全体が形成された前記ダミーウェハをウェハステージに置いてクリーニングを行うことを特徴とする半導体製造装置のクリーニング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/302 N ,  H01L 21/205