特許
J-GLOBAL ID:200903099807886829
温度センサを組み込んだ電力制御装置及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-007493
公開番号(公開出願番号):特開2008-177250
出願日: 2007年01月16日
公開日(公表日): 2008年07月31日
要約:
【課題】温度制御を高感度でおこなえる温度センサを組み込んだ電力制御装置及びその製造方法の提供。【解決手段】電力制御装置100は、トレンチ型MOSFET12及びトレンチ型ダイオードデバイス13がトレンチ4’,4で区画されている。トレンチ型ダイオードデバイス13は、基板1、エピタキシャル層2、第1バイアス拡散層3、及び低ドープアノード層10がこの順に積層され、第1バイアス拡散層3の一部は低ドープアノード層10を貫通して表面に露出し、その上に第2バイアス拡散層11が形成され、低ドープアノード層10の上に高ドープアノード層7及びカソード層8が形成され、高ドープアノード層7側の表面からエピタキシャル層2に達する位置にトレンチ4が周囲を囲むように形成され、高ドープアノード層7、カソード層8、第2バイアス拡散層11、及びトレンチ4にそれぞれ電極が設けられている。【選択図】図1
請求項(抜粋):
同一基板上に、電力制御素子となるトランジスタ及び温度センサとなるダイオードが形成されている電力制御装置であって、
上記トランジスタは、
第1の導電タイプである高ドープドレイン部、第1の導電タイプである低ドープドレイン部、第2の導電タイプであるチャネルボディ部、及び第1の導電タイプであるソース部が、この順に隣接して積層された半導体基板上に、上記ソース部及び上記チャネルボディ部を貫通し上記低ドープドレイン部に達するトランジスタトレンチ部が設けられており、 上記トランジスタトレンチ部によってトランジスタ領域が区画されており、
上記ダイオードは、
第1の導電タイプである高ドープドレイン部、第1の導電タイプである低ドープドレイン部、第2の導電タイプである第1バイアス拡散部、第1の導電タイプである低ドープアノード部が、この順に隣接して積層されるとともに、上記第1バイアス拡散部の一部は上記低ドープアノード部を貫通して表面に露出するように形成され、
上記低ドープアノード部上には、第1の導電タイプである高ドープアノード部及び第2の導電タイプであるカソード部が隣接するように形成され、
上記露出した上記第1バイアス拡散部上には、第2の導電タイプである第2バイアス拡散部が形成され、
上記高ドープアノード部、カソード部、低ドープアノード部、及び上記第1バイアス拡散部を貫通し前記低ドープドレイン部に達するダイオードトレンチ部が設けられており、
上記高ドープアノード部にアノード電極が設けられ、上記カソード層にカソード電極が設けられ、上記バイアス拡散部に第1バイアス電極が設けられ、上記ダイオードトレンチ部に第2バイアス電極が設けられており、
上記ダイオードトレンチ部によってダイオード領域を区画されており、
上記トランジスタと上記ダイオードは隣接して形成されるが、電気的には絶縁されていることを特徴とする電力制御装置。
IPC (9件):
H01L 27/04
, H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 21/823
, H01L 27/06
, H01L 27/088
, H01L 21/822
, H03K 17/00
, H01L 29/861
FI (12件):
H01L29/78 657F
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 657A
, H01L29/78 658F
, H01L29/78 658A
, H01L27/06 102A
, H01L27/08 102E
, H01L27/04 H
, H01L27/04 A
, H01L27/04 F
, H03K17/00 B
, H01L29/91 L
Fターム (34件):
5F038AZ08
, 5F038BH04
, 5F038BH16
, 5F038CA02
, 5F038CA07
, 5F038CA08
, 5F038EZ13
, 5F038EZ14
, 5F038EZ15
, 5F038EZ20
, 5F048AB10
, 5F048AC06
, 5F048AC10
, 5F048BB01
, 5F048BB05
, 5F048BB19
, 5F048BC03
, 5F048BD07
, 5J055AX36
, 5J055BX44
, 5J055CX07
, 5J055CX20
, 5J055DX03
, 5J055DX22
, 5J055DX79
, 5J055EY12
, 5J055EY17
, 5J055EY21
, 5J055FX12
, 5J055FX17
, 5J055FX35
, 5J055GX01
, 5J055GX07
, 5J055GX08
引用特許:
出願人引用 (3件)
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米国特許第4,795,716号明細書(平成元年(1989年)1月3日登録)
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米国特許第5,796,290号明細書(平成10年(1998年)8月18日登録)
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米国特許第6,046,470号明細書(平成元12年(2000年)4月4日登録)
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