特許

J-GLOBAL ID：200903099808493766

透明導電膜の製造方法

発明者： 久保田 高史 ,  渡辺 弘
出願人/特許権者： 三井金属鉱業株式会社
代理人 (1件)： 伊東 辰雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-178832
公開番号（公開出願番号）：特開平6-002134
出願日： 1992年06月15日
公開日（公表日）： 1994年01月11日
要約：

【要約】【目的】 ターゲット表面の林立黒化現象を防止することによって膜形成速度の変動および膜比抵抗の劣化を抑制し、高品質のITO透明導電膜の安定した連続的な製造方法を提供する。【構成】 インジウム-錫酸化物ターゲットを用いたスパッタリング法による透明導電膜の製造方法において、該スパッタリングに高周波放電を用いることを特徴とする透明導電膜の製造方法。

請求項（抜粋）：

インジウム-錫酸化物ターゲットを用いたスパッタリング法による透明導電膜の製造方法において、該スパッタリングに高周波放電を用いることを特徴とする透明導電膜の製造方法。