特許

J-GLOBAL ID：200903099809946250

発振回路および半導体記憶装置

発明者： 森 茂 ,  梶本 毅 ,  林越 正紀
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-019210
公開番号（公開出願番号）：特開平7-141865
出願日： 1994年02月16日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 リフレッシュ動作が必要なDRAMにおいて、リング発振器の発振周期を動作温度が上昇するにつれて短くなるようにする。【構成】 動作温度に応じてクロック周期を変化させる。例えば、正の温度係数を有する抵抗RAに一定電圧を与え、それに流れる参照電流i0 を抵抗RBによって電圧に変換する。その電圧をPチャネルMOSトランジスタQP12 によって参照電流i1 に変換し、その参照電流i1 と等しい値の電流i1 をカレントミラー回路によって各インバータI1〜I7内に流す。参照電流i0 は動作温度が上昇するにつれて減少し、参照電流i1 は増加する。それにより、動作温度が上昇するにつれてリング発振器20の発振周期が短くなるようにする。

請求項（抜粋）：

動作温度に基づいて変化する参照電流を生成する参照電流生成手段、この参照電流生成手段の参照電流に基づいて制御され、出力するクロック信号の周期が変化する発振手段を備えた発振回路。