特許
J-GLOBAL ID:200903099816379093

半導体単結晶製造装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 二瓶 正敬
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-095247
公開番号(公開出願番号):特開平10-273390
出願日: 1997年03月28日
公開日(公表日): 1998年10月13日
要約:
【要約】【課題】 減圧されたチャンバ内において大径、大重量の単結晶を確実に且つ安全に引き上げる。【解決手段】 種結晶を保持して上下方向に昇降させる種結晶昇降機構と、形成される単結晶のくびれを把持する単結晶把持機構とを有する半導体製造装置であって、種結晶昇降機構の少なくとも駆動部分14及び単結晶把持機構の少なくとも駆動部分15を収納する収納容器10aと、収納容器を上下方向に昇降させる収納容器昇降機構3、4とを設けた。収納容器を耐熱構造としたり、収納容器の内部を冷却する冷却手段を更に設けることができ、収納容器を吊り下げるワイヤ3を巻き取る機構4の動作に同期して、種結晶昇降機構や単結晶把持機構の駆動用電源ケーブルや制御信号用ケーブル7の巻き取りを行うよう構成することができる。
請求項(抜粋):
引上げCZ法により半導体単結晶を製造するための半導体単結晶製造装置であって、種結晶を保持して上下方向に昇降させる種結晶昇降機構と、前記種結晶の下に形成される単結晶のくびれを把持する単結晶把持機構とを有するものにおいて、前記種結晶昇降機構の少なくとも駆動部分及び前記単結晶把持機構の少なくとも駆動部分を収納する収納容器と、前記収納容器を上下方向に昇降させる収納容器昇降機構とを、設けたことを特徴とする半導体単結晶製造装置。
IPC (3件):
C30B 15/32 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208
FI (3件):
C30B 15/32 ,  C30B 29/06 502 F ,  H01L 21/208 P

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