特許

J-GLOBAL ID：200903099818909260

半導体の製造方法

発明者： 西野 弘師 ,  岡本 徹 ,  村上 聡 ,  齊藤 哲男 ,  丸山 研二
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-118277
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316248
出願日： 1995年05月17日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】 気相成長法により格子不整合の大きな基板上にII-VI 族化合物半導体を結晶性よくかつ短時間に堆積する。【構成】 第一の成長速度でII-VI 族化合物半導体を堆積した後,第一の成長速度よりも速い第二の成長速度でII-VI 族化合物半導体を堆積する。第一の成長速度を0.5μm/時より遅く,またII-VI 族化合物半導体を,CdTe,ZnTe若しくはHgTe又はこれらの混晶とすることができる。

請求項（抜粋）：

気相成長法により基板結晶上に該基板結晶と格子不整合のII-VI 族化合物半導体を堆積する半導体の製造方法において,第一の成長速度で該II-VI 族化合物半導体を堆積した後,該第一の成長速度よりも速い第二の成長速度で該II-VI 族化合物半導体を堆積することを特徴とする半導体の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/365 ,  C30B 25/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

H01L 21/365 ,  C30B 25/02 Z ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205