特許

J-GLOBAL ID：200903099823400510

半導体レーザ装置及びその製造方法

発明者： 鬼頭 雅弘 ,  石野 正人 ,  松井 康
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-159171
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005971
出願日： 1992年06月18日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：

【要約】【目的】 電流ー光出力特性の直線性に優れた半導体レーザを提供する。【構成】 n型InP基板上1上に分布帰還を生じさせる回折格子10を形成する。回折格子10上にn型InGaAsP導波路層2、ノンドープInGaAsP活性層3、p型InPクラッド層4を続けてエピタキシャル成長する。成長層にエッチングを施し、メサ5を形成する。p型InP6、n型InP7を続けてエピタキシャル成長し、電流ブロック層を形成する。p型InP埋め込み層8でメサ5を完全に埋め込む。p型InGaAsPコンタクト層9を続けてエピタキシャル成長する。p型InGaAsPコンタクト層9表面にコンタクト用回折格子11をエッチングにより形成する。絶縁層12を堆積したのちp型電極13とn型電極14を蒸着により形成する。以上のような構成にすることにより、電流ー光出力特性の直線性に優れた分布帰還型半導体レーザを作製することが可能となる。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板上に形成された、少なくとも活性層、クラッド層、コンタクト層、電極を含む半導体レーザ装置であって、前記コンタクト層と前記電極と界面に微細な凹凸が形成されており、前記コンタクト層と前記電極との接触面積が前記凹凸が無い場合と比較して広くなっていることを特徴とする半導体レーザ装置。