特許
J-GLOBAL ID：200903099833104855
超伝導体ロジックの移相装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (9件)：
中村 稔
, 大塚 文昭
, 熊倉 禎男
, 宍戸 嘉一
, 今城 俊夫
, 小川 信夫
, 村社 厚夫
, 西島 孝喜
, 箱田 篤
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-568432
公開番号（公開出願番号）：特表2004-523907
出願日： 2001年12月21日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：
【課題】便利にスケーラブル及びリプロデューシブルであり、かつ周囲結合による最小の散逸を有する超伝導量子ビット装置に対する必要性が存在する。【解決手段】本発明によれば、超伝導移相装置が提供される。移相装置は、装置の二端子の秩序変数の位相間に移相を生じさせることができる。二端子は、アングル・サイドを有する異方性超伝導体を通して、または調整不良の位相を有する二つの異方性超伝導体を通して、または接合領域の強磁性体を通して結合することができる。移相装置は、超伝導量子コンピューティング回路で用いることができる。通常の超伝導材料の製造技術とは異なる技術で移相装置を製造する方法を記述する。移相装置のアレイを含んでいる移相器チップを製造する方法を記述する。【選択図】図1A
請求項（抜粋）：
第1の位相を有している、第1の超伝導端子;
第2の位相を有している、第2の超伝導端子;及び
前記第1の超伝導端子及び前記第2の超伝導端子に結合された移相器
を備え、
前記移相器は、前記第1の位相と前記第2の位相との間に所定の差をもたらすことができるように構成されることを特徴とする移相装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L39/22 A
, H01L39/00 Z
4M113AA18
, 4M113AA52
, 4M113AC44
, 4M113AC50
, 4M113AD35
, 4M113AD36
, 4M113AD68
, 4M113BA01
, 4M113CA12
, 4M113CA13
, 4M113CA14
, 4M113CA34
