特許
J-GLOBAL ID：200903099835220399
光導波膜形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-024028
公開番号（公開出願番号）：特開平10-221557
出願日： 1997年02月06日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：
【要約】【課題】 優れた作業性と速い成膜速度で光導波膜を形成することができ、高熱処理が不要な光導波膜形成方法を提供する。【解決手段】 酸素ガス、有機シリコン化合物ガスおよび有機金属ガスが真空容器30内に導入され、プラズマ発生用高周波電源54により高周波電力がコイル50に印加されると、これらのガスは誘導結合高周波プラズマとなって反応し、その結果、基板12上に、有機金属ガスに含まれる金属元素がドープされたシリコン酸化物が光導波膜として形成される。
請求項（抜粋）：
基板が置かれた真空容器内に酸素ガス、有機シリコン化合物ガスおよび有機金属ガスを導入し、前記真空容器内で前記酸素ガス、前記有機シリコン化合物ガスおよび前記有機金属ガスを誘導結合高周波プラズマ状態として反応させ、前記有機金属ガスに含まれる金属元素がドープされたシリコン酸化物を光導波膜として前記基板上に形成する、ことを特徴とする光導波膜形成方法。
引用特許：
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