特許
J-GLOBAL ID：200903099835957219

光電変換装置及びその製造方法並びに光発電装置

発明者：
笹森 理一

笹森 理一 について

, 
樋口 永

樋口 永 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-105428
公開番号（公開出願番号）：特開2007-280761
出願日： 2006年04月06日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：
【課題】 基板1枚の上に各層を一体的に積層することにより基板枚数の低減化を成し、また、従来2枚の基板間の隙間で決まっていた電解質層の厚みが、電解質を含有したスペーサ層の厚みで決まることによって、電解質層を薄くかつ均一化して、変換効率及び信頼性を高めること。【解決手段】 光電変換装置1は、基板2上に、透明導電層3、色素4を担持するとともにゲル状の電解質6を含有した多孔質酸化物半導体層5、電解質6と同じ電解質を含有した多孔質スペーサ層7、及び透明導電層8がこの順で一体的に積層された積層体から成る。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に、透明導電層、色素を担持するとともにゲル状の電解質を含有した多孔質酸化物半導体層、前記電解質と同じ電解質を含有した多孔質スペーサ層及び対極層がこの順で一体的に積層された積層体が形成されていることを特徴とする光電変換装置。
IPC (3件)：
H01M 14/00 ,  H01L 31/04 ,  H01M 2/14
FI (3件)：
H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z ,  H01M2/14
Fターム (27件)：
5F051AA14 ,  5F051CB12 ,  5F051CB13 ,  5F051CB14 ,  5F051CB15 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA13 ,  5F051FA14 ,  5F051FA15 ,  5H021AA06 ,  5H021CC03 ,  5H021EE22 ,  5H021EE27 ,  5H032AA06 ,  5H032AS09 ,  5H032AS16 ,  5H032BB00 ,  5H032BB07 ,  5H032BB10 ,  5H032CC06 ,  5H032CC17 ,  5H032EE02 ,  5H032EE14 ,  5H032HH04
引用特許：
出願人引用 (3件)

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