特許

J-GLOBAL ID：200903099837765880

GaN系半導体発光素子及びその製造方法

発明者： 瀧 哲也
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-324571
公開番号（公開出願番号）：特開2005-093682
出願日： 2003年09月17日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：

【課題】 成長プロセスの複雑化を抑えながら発光効率を増大したGaN系半導体発光素子及びその製造方法を提供することにある。【構成】 n型GaNクラッド層3の上にAlN凹凸層4を形成し、AlN凹凸層4の上に活性層(InGaN井戸層5)を形成することにより活性層を凹凸の形状にする。Al凹凸層4は、n型GaNクラッド層3の上に10Å程度の膜厚のAlN層を形成し、830°C程度の熱処理を施すことによりAlN層を凝集させて形成する。その結果、活性層の面積が増大し、活性層に組成不均一が生ずる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

n型層とp型層の間に活性層を配置したGaN系半導体発光素子において、 前記n型層と前記活性層の間に配置されたAlN凹凸層を備え、 前記活性層は、前記AlN凹凸層の形状に基づいて凹凸に形成されていることを特徴とするGaN系半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L33/00 ,  H01L21/205

FI (2件)：

H01L33/00 C ,  H01L21/205

Fターム (19件)：

5F041AA03 ,  5F041AA42 ,  5F041CA05 ,  5F041CA10 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA09 ,  5F045DA51 ,  5F045DA55 ,  5F045HA16

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-015171   出願人：日亜化学工業株式会社