特許

J-GLOBAL ID：200903099842496162

半導体素子接続用金線

発明者： 村井 博 ,  三苫 修一 ,  本村 光友 ,  徳山 威吏
出願人/特許権者： 田中電子工業株式会社
代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-166524
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345342
出願日： 2000年05月31日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：

【要約】【課題】 低抵抗の金合金線で、微小ボール圧着後真円度の向上、高ワイヤ強度、薄膜Al電極へのボール圧着時チップ割れの防止、バンプのテール長さの均一化を図る。【解決手段】 5〜100質量ppm のCa、5〜100質量ppm のGd、1〜100質量ppm のY、好ましくは更にYを除く希土類のうち少なくとも1種を1〜100質量ppm 含み、さらに好ましくはMg,Ti,Pbのうち少なくとも1種を1〜100質量ppm 含み、これらの合計が200質量ppm 以下であり、残部が金と不可避的不純物からなる半導体素子接続用金線。

請求項（抜粋）：

5〜100質量ppm のCa、5〜100質量ppm のGd、1〜100質量ppm のYであって、これらの合計量が200質量ppm 以下であり、残部が金と不可避不純物からなる半導体素子接続用金線。

IPC (2件)：

H01L 21/60 301 ,  C22C 5/02

FI (2件)：

H01L 21/60 301 F ,  C22C 5/02

Fターム (1件)：

5F044FF04