特許
J-GLOBAL ID：200903099846139925
チップ型サーミスタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-033790
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236307
出願日： 1995年02月22日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：
【要約】【目的】 端子電極のみに電解メッキを行うことができるチップ型サーミスタを提供することを目的とするものである。【構成】 内部電極1a,1bを内装したサーミスタチップ11の端面にレジスト樹脂12a,12bを形成した後、サーミスタチップ11の外周面に無電解Ni-Bメッキ膜13を形成する。次にレジスト樹脂12a,12b及びその上の無電解Ni-Bメッキ膜13を除去後、熱処理によって無電解Ni-Bメッキ膜13を酸化させた絶縁体膜14を設けることにより、端子電極15a,15b上にのみ金属メッキ層16a,16bを形成することができる。
請求項（抜粋）：
少なくとも2層の内部電極を内蔵するサーミスタ素体の表面に金属メッキ層を形成し、次にこの金属メッキ層を酸化させて絶縁性の酸化物膜を形成するチップ型サーミスタの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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