特許

J-GLOBAL ID：200903099848069150

放射線撮像装置及びその製造方法

発明者： 竹田 慎市
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-359571
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164523
出願日： 2000年11月27日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：

【要約】【課題】 光電変換装置間の画素ピッチのズレや情報を得ることができない領域による画質の低下をなくし、画像画質の品位を向上させた放射線撮像装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 4枚の光電変換装置100a〜100dを各々90度ずつ回転させて配置すると共に、隣接する光電変換装置同士における互いの光電変換基板101の少なくとも一部を上下に重ねた状態で配置し、隣接する光電変換基板間に、X線可視光変換層22を介在させないようにし、光電変換基板101の重ね合わせ部分における光電変換素子を互いに重なり合わない状態で配置し、光電変換装置100a〜100dを、隣接する光電変換装置間の画素配列及びピッチが光電変換基板101上の画素配列及びピッチと同一で、且つ互いの光電変換装置の画素配列及びピッチが平面的に連続となるように配置する。

請求項（抜粋）：

光電変換基板上に複数の光電変換素子が形成された光電変換装置と、該光電変換装置の受光面上側に位置するX線可視光変換基板上にX線可視光変換層が形成されたX線可視光変換装置とを具備した放射線撮像装置において、前記光電変換装置を複数配置すると共に、隣接する前記光電変換装置同士における互いの前記光電変換基板の少なくとも一部を上下に重ねた状態で配置したことを特徴とする放射線撮像装置。

IPC (5件)：

H01L 27/14 ,  G01T 1/20 ,  H01L 27/146 ,  H01L 31/09 ,  H04N 5/32

FI (6件)：

G01T 1/20 E ,  G01T 1/20 G ,  H04N 5/32 ,  H01L 27/14 K ,  H01L 27/14 C ,  H01L 31/00 A

Fターム (32件)：

2G088EE01 ,  2G088FF02 ,  2G088GG19 ,  2G088GG20 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ09 ,  2G088JJ37 ,  2G088LL12 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA01 ,  4M118CA07 ,  4M118CA14 ,  4M118CB06 ,  4M118CB11 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB24 ,  4M118GA10 ,  4M118HA19 ,  5C024AX12 ,  5C024CY01 ,  5C024CY47 ,  5C024CY49 ,  5C024EX17 ,  5C024EX21 ,  5F088BB03 ,  5F088BB07 ,  5F088GA10 ,  5F088JA20 ,  5F088LA08