特許

J-GLOBAL ID：200903099854886713

半導体発光装置

発明者： 渡邊 実
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-241238
公開番号（公開出願番号）：特開平7-099363
出願日： 1993年09月28日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：

【要約】【目的】本発明は、InGaAlP系材料を用いた半導体レーザにおいて、半導体レーザのしきい値電流を低減でき、温度特性を向上できるようにすることを最も主要な特徴とする。【構成】たとえば、オーバフロー電流の大部分が電子とされている半導体レーザにおいては、活性層よりもバンドギャップが大きく、p-Pクラッド層よりもバンドギャップの狭い再結合層を、上記p-クラッド層中に挿入する。そして、この再結合層にて上記活性層からp-クラッド層へオーバフローした電子を正孔と再結合させ、その再結合により生じる光のエネルギhν2 (hν2 >hν1 )を活性層で吸収させる。こうして、活性層で新たな電子と正孔とを発生させることより、オーバフロー電流の増加によるしきい値電流の増大を防止する構成となっている。

請求項（抜粋）：

禁制帯幅がE1の第1の半導体層と、禁制帯幅がE2(E2>E1)の第2の半導体層と、禁制帯幅がE3(E3>E2>E1)の第3の半導体層とを有し、この第3の半導体層で前記第1,第2の半導体層が隔てられている構造を少なくとも1つ具備してなり、前記第2の半導体層にて注入されたキャリアの再結合により生じた光が前記第1の半導体層に吸収されて、その第1の半導体層に電子-正孔対を発生させることを特徴とする半導体発光装置。