特許
J-GLOBAL ID:200903099857280352
非晶質炭素被膜と非晶質炭素被膜の製造方法および非晶質炭素被膜の被覆部材
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
川瀬 茂樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-216723
公開番号(公開出願番号):特開2003-026414
出願日: 2001年07月17日
公開日(公表日): 2003年01月29日
要約:
【要約】【課題】 高い密着性を持ち、耐摩耗性、高硬度、平滑性、摺動特性などの特性を有する非晶質炭素被膜およびその被覆部材並びに被覆方法を提供すること。【解決手段】 基材の上に、0.5nm〜30nmの金属層を設けるか或いは設けず、その上に、0.5nm〜200nmの無水素炭素膜Aをスパッタリング、真空アーク蒸着法によって形成し、さらにその上に水素濃度が5〜25at.%の含水素炭素膜Bを無水素炭素膜Aの2倍〜1000倍の膜厚に形成する。
請求項(抜粋):
基材Sの上に形成した膜厚0.5nm〜200nmの無水素炭素膜Aと、無水素炭素膜Aの上に形成した水素含有率が5at.%〜25at.%であり膜厚が無水素炭素膜Aの2倍〜1000倍である含水素炭素膜Bよりなることを特徴とする非晶質炭素被膜。
IPC (4件):
C01B 31/02 101
, B23B 27/14
, C23C 14/06
, F16J 9/26
FI (4件):
C01B 31/02 101 Z
, B23B 27/14 A
, C23C 14/06 F
, F16J 9/26 C
Fターム (37件):
3C046FF02
, 3C046FF09
, 3C046FF10
, 3C046FF11
, 3C046FF12
, 3C046FF13
, 3C046FF19
, 3C046FF20
, 3C046FF25
, 3J044BA03
, 3J044BB19
, 3J044BC06
, 3J044DA09
, 3J044DA16
, 4G046CA02
, 4G046CB03
, 4G046CB08
, 4G046CC06
, 4K029BA01
, 4K029BA03
, 4K029BA06
, 4K029BA07
, 4K029BA08
, 4K029BA09
, 4K029BA11
, 4K029BA12
, 4K029BA13
, 4K029BA16
, 4K029BA17
, 4K029BA34
, 4K029BB02
, 4K029BB10
, 4K029BD04
, 4K029BD05
, 4K029CA03
, 4K029CA05
, 4K029EA01
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