特許

J-GLOBAL ID：200903099859165305

集積型バイポーラ半導体装置

発明者： 菅原 良孝
出願人/特許権者： 関西電力株式会社
代理人 (1件)： 東島 隆治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-034645
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243648
出願日： 2002年02月12日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：

【要約】【課題】 集積型バイポーラ半導体装置の大電流化を図るため半導体チップを構成する半導体素子の数を増やすと、母材の結晶欠陥等により製造歩留まりが著しく低下する。一方、半導体チップを多数並列に接続して大電流化を図ろうとすると、特定のチップに電流集中が生じ大電流化が困難である。【解決手段】 バイポーラ半導体チップを複数個並列に接続するとき、チップ相互間の距離を、チップとヒートシンク間の距離よりも短くしたり、チップとヒートシンクを取付けた支持体の間に過渡熱インピーダンス低減材や過渡熱インピーダンス増大材を介在させることにより、チップ相互間の過渡熱インピーダンスをチップとヒートシンク間の過渡熱インピーダンスよりも小さくする。

請求項（抜粋）：

電流駆動型の複数のバイポーラ半導体素子を、熱伝導性を有する共通の支持部材に取付け、前記複数のバイポーラ半導体素子のアノード、カソード及びゲートをそれぞれ共通に接続したバイポーラ半導体素子を少なくとも有する集積型バイポーラ半導体装置において、前記複数のバイポーラ半導体素子相互間の過渡熱インピーダンスを、前記バイポーラ半導体素子と前記支持部材に設けた放熱部との間の過渡熱インピーダンスより小さくしたことを特徴とする集積型バイポーラ半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/74 ,  H01L 23/34 ,  H01L 25/04 ,  H01L 25/18 ,  H01L 29/744

FI (4件)：

H01L 23/34 A ,  H01L 29/74 L ,  H01L 29/74 C ,  H01L 25/04 Z

Fターム (13件)：

5F005AA03 ,  5F005AB03 ,  5F005AC02 ,  5F005AF02 ,  5F005CA01 ,  5F005GA03 ,  5F036AA01 ,  5F036BA04 ,  5F036BA26 ,  5F036BB01 ,  5F036BB21 ,  5F036BC17 ,  5F036BD01