特許
J-GLOBAL ID：200903099864877712
高温超伝導体成長用バッファ層及びその成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-018356
公開番号（公開出願番号）：特開平6-227893
出願日： 1993年02月05日
公開日（公表日）： 1994年08月16日
要約：
【要約】【目的】 高温超伝導体成長用バッファ層及びその成長方法に関し、バッファ層に関する条件を適切に選定することで、110K-相の単相で100〔K〕近い零抵抗温度をもつBi系超伝導体薄膜を容易に実現できるようにする。【構成】 例えば、CVD法を適用することに依って、MgOからなる基板上にBi-Sr-Cu-Oからなる化学組成をもち、且つ、結晶のa-b面に対して鉛直方向に2.2〔nm〕±0.05〔nm〕の範囲に他のa-b面が存在する構造の結晶からなるバッファ層を成長させる。そのバッファ層上にBi系高温超伝導体薄膜を成長させた場合、良質の110K-相の単相のものが得られ、従来の技術に依った場合のように、110K-相と80K-相との混晶になってしまうことはない。
請求項（抜粋）：
Bi-Sr-Cu-Oからなる化学組成をもち、且つ、結晶のa-b面に対して鉛直方向に2.2〔nm〕±0.05〔nm〕の範囲に他のa-b面が存在する構造の結晶からなることを特徴とする高温超伝導体成長用バッファ層。
IPC (6件)：
C30B 25/02 ZAA
, C01G 1/00
, C30B 25/18
, C30B 29/22 501
, H01L 39/02 ZAA
, H01L 39/24 ZAA
