特許

J-GLOBAL ID：200903099865222027

薄膜の評価方法

発明者： 花房 彰 ,  山本 輝明
出願人/特許権者： 松下電池工業株式会社
代理人 (1件)： 石井 和郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-237549
公開番号（公開出願番号）：特開2001-059816
出願日： 1999年08月24日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
要約：

【要約】【課題】 一定品質の透明導電薄膜またはCdS薄膜を生産性よく製造することを可能にする評価方法を提供する。【解決手段】 透明導電薄膜を形成した透光性基板の一方の表面に発光部から赤外光を入射し、前記基板を透過した赤外光を検出して透過率を求め、その透過率から前記薄膜の膜厚またはシート抵抗を求める透明導電薄膜の評価方法および透明導電薄膜を形成し、さらにその上に硫化カドミウム薄膜を形成した透光性基板の一方の表面に波長400〜520nmの光を入射し、前記基板を透過した光を検出して透過率を求め、その透過率から前記硫化カドミウム薄膜の膜厚を求める硫化カドミウム薄膜の評価方法。

請求項（抜粋）：

透明導電薄膜を形成した透光性基板の一方の表面に発光部から赤外光を入射し、前記基板を透過した赤外光を検出して透過率を求め、その透過率から前記薄膜の膜厚またはシート抵抗を求めることを特徴とする透明導電薄膜の評価方法。

IPC (4件)：

G01N 21/35 ,  G01B 11/06 ,  H01L 31/04 ,  H01M 14/00

FI (4件)：

G01N 21/35 Z ,  G01B 11/06 Z ,  H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 M

Fターム (35件)：

2F065AA30 ,  2F065BB01 ,  2F065BB22 ,  2F065CC31 ,  2F065DD06 ,  2F065FF46 ,  2F065GG06 ,  2F065GG22 ,  2F065HH13 ,  2F065HH15 ,  2F065JJ01 ,  2F065JJ09 ,  2F065JJ18 ,  2F065LL04 ,  2F065MM02 ,  2G059AA03 ,  2G059BB10 ,  2G059CC20 ,  2G059EE01 ,  2G059GG01 ,  2G059GG02 ,  2G059HH01 ,  2G059HH06 ,  2G059KK01 ,  5F051AA09 ,  5F051BA14 ,  5F051FA02 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032BB09 ,  5H032EE01 ,  5H032EE07 ,  5H032EE18 ,  5H032HH07 ,  5H032HH08