特許

J-GLOBAL ID：200903099866498409

プラズマCVD装置およびこれを用いた半導体装置の製造方法

発明者： 金 廣男 ,  蔡 基成
出願人/特許権者： 株式会社フロンテック
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-316651
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150389
出願日： 1998年11月06日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】 成膜プロセスを簡単化することができ、例えば多結晶シリコン膜等の成膜に用いて好適なプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】 このプラズマCVD装置は、3つの成膜室5、6、7とレーザアニール室8と熱処理室9とを含む複数の処理室と、ローダ室3と、アンローダ室4と、これら処理室間で被処理基板の搬送を行う基板搬送ロボット37を備えた搬送室2とを有しており、複数の処理室と搬送室2との間で被処理基板を大気に曝すことなく移送する構成となっている。また、成膜室5、6、7は、高周波電極とサセプタ電極とを備えた2周波励起型プラズマ成膜室である。

請求項（抜粋）：

少なくとも一つの成膜室を含む複数の処理室と、これら処理室間での被処理基板の搬送を行う搬送手段を備えた搬送室とを有し、前記複数の処理室と前記搬送室との間で前記被処理基板を大気に曝すことなく移送する枚葉式プラズマCVD装置であって、前記複数の処理室のうちの少なくとも一つが、レーザ光により前記被処理基板上に成膜した膜のアニーリング処理を行うレーザアニール室であることを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/54 ,  H01L 21/31 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/54 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (69件)：

4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030AA24 ,  4K030BA30 ,  4K030BA31 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030BB03 ,  4K030CA06 ,  4K030DA09 ,  4K030FA03 ,  4K030GA12 ,  4K030HA01 ,  4K030JA06 ,  4K030KA08 ,  4K030KA20 ,  5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AF03 ,  5F045AF07 ,  5F045BB08 ,  5F045BB14 ,  5F045BB19 ,  5F045CA15 ,  5F045CB04 ,  5F045CB05 ,  5F045DA68 ,  5F045DQ17 ,  5F045EB08 ,  5F045EF05 ,  5F045EH14 ,  5F045EN04 ,  5F045HA15 ,  5F045HA16 ,  5F045HA18 ,  5F045HA25 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE03 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL03 ,  5F110NN02 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110PP03 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11