特許
J-GLOBAL ID：200903099869441521
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-219109
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063137
出願日： 1991年08月30日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：
【要約】【目的】 複数の単体素子を階層構造に実装した半導体装置に関し,チップを重ねる際の位置合わせが容易で,且つ多数チップの積層を可能とすることを目的とする。【構成】 複数の半導体チップが積層されてなり,該チップはその表面及び裏面に該チップを貫通するスルーホールを通じて接続する電極を有し,該電極によりチップ相互間の接続が行われているように構成する。
請求項（抜粋）：
複数の半導体チップが積層されてなり,該チップはその表面及び裏面に該チップを貫通するスルーホールを通じて接続する電極を有し,該電極によりチップ相互間の接続が行われていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
