固体撮像素子及びその駆動方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：芝野正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-242506
公開番号（公開出願番号）：特開2003-060188
出願日： 2001年08月09日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：

【要約】【課題】情報電荷の排出時に要する排出電圧の電圧レベルを抑制し、消費電力を低減する固体撮像素子を提供する。【解決手段】 P型の半導体基板上にN型領域が形成されて垂直転送チャネル30が構成される。この垂直転送チャネル30を区画して各列を形成するように複数の分離領域32、33が形成される。これら分離領域32、33の偶数列は、N型領域で形成される排出領域32aと、この排出領域32aを挟むようにしてP型領域で形成される第1の分離領域32bとを含むオーバーフロードレインで形成される。一方、奇数列は、第1の分離領域32bよりも濃度の高いP型領域よりなる第2の分離領域33で形成される。

請求項（抜粋）：

入射される光に応答して発生する情報電荷を複数の受光画素に蓄積する固体撮像素子において、半導体基板上に形成され、垂直方向に互いに平行に配列される複数の垂直転送チャネルと、前記複数の垂直転送チャネルの各列に隣接して配置される複数の分離領域と、前記複数の垂直転送チャネル及び前記複数の分離領域を被って水平方向に互いに平行に配置され、前記複数の垂直転送チャネルの各列に前記各受光画素を定義する複数の転送電極と、と備え、前記複数の分離領域の偶数行は、一導電型を有する一対の第1の分離領域、該第1の分離領域の間に形成される逆導電型の排出領域を含むオーバーフロードレインであり、前記複数の分離領域の奇数行は、前記第1の分離領域よりも濃度の高い一導電型を有する第2の分離領域であることを特徴とする固体撮像素子。

IPC (2件)：

H01L 27/148 , H04N 5/335

FI (3件)：

H04N 5/335 Q , H04N 5/335 U , H01L 27/14 B

Fターム (12件)：

4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118BA12 , 4M118FA06 , 4M118FA15 , 4M118FA18 , 4M118FA24 , 4M118FA40 , 5C024CX54 , 5C024CY42 , 5C024GY03 , 5C024GZ02

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭54-024530
特開昭56-136085
特開平2-274183

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