特許

J-GLOBAL ID：200903099872987250

半導体装置の製造方法および化学的機械研磨装置

発明者： 伊藤 秀文
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-166321
公開番号（公開出願番号）：特開2002-359213
出願日： 2001年06月01日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウエハの被研磨面を均一に化学的機械研磨する。【解決手段】 ウエハ保持ヘッド20によって保持された半導体ウエハ1がプラテン11に敷設されてスラリ17が供給される研磨クロス14に擦り付けられて化学的機械研磨される化学的機械研磨装置において、半導体ウエハ1の被研磨面の中央から周辺にかけての全面を化学的機械研磨して周辺部の被研磨膜を厚く残すプラテン11と、この周辺部に残された周辺厚膜部を局部的に化学的機械研磨する局部用プラテン30とを備えている。半導体ウエハ1の中心から周辺にかけての第一プラテン11による全体的な化学的機械研磨によって被研磨面の周辺部に形成された周辺厚膜部を局部用プラテン30によって化学的機械研磨する。【効果】 局部用プラテンによる周辺厚膜部の研磨で被研磨面の残膜の厚さ分布が均一になるため、化学的機械研磨装置の性能、精度、信頼性を向上できる。

請求項（抜粋）：

ウエハ保持ヘッドによって保持された半導体ウエハがプラテンに敷設されてスラリが供給される研磨クロスに擦り付けられて化学的機械研磨される工程を備えている半導体装置の製造方法において、前記半導体ウエハの表面を局部的に化学的機械研磨することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00

FI (3件)：

H01L 21/304 621 D ,  H01L 21/304 622 F ,  B24B 37/00 Z

Fターム (7件)：

3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058BA02 ,  3C058BA07 ,  3C058CB01 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17