半導体集積回路の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：尾身祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-041758
公開番号（公開出願番号）：特開平7-230969
出願日： 1994年02月17日
公開日（公表日）： 1995年08月29日
要約：

【要約】【目的】狭い線幅の拡散層上にも十分の膜厚のシリサイドを形成しうるようにする。【構成】シリコン基板101上にフィールド酸化膜102を形成し、不純物を導入して拡散層103を形成する。シリコンを斜め方向からイオン注入して(斜め回転イオン注入法)拡散層103の表面に非晶質シリコン層105を形成する。その後、チタン膜を形成し熱処理を施してチタンシリサイド膜を形成する。ウェット法により、未反応のチタンをエッチング除去する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上の活性領域を絶縁膜にて囲み区画する工程と、イオンを斜め方向から注入して前記活性領域の表面および前記絶縁膜下の半導体層を非晶質化する工程と、金属を堆積して前記シリコン基板上に金属膜を形成する工程と、熱処理により前記金属と非晶質化されたシリコンとを反応させて前記金属のシリサイド層を形成する工程と、を備えることを特徴とする半導体集積回路の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/88 Q , H01L 21/90 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平4-142732
特開平1-179415
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-199891 出願人：株式会社東芝

前のページに戻る