特許
J-GLOBAL ID：200903099874465447
液晶表示装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-285016
公開番号（公開出願番号）：特開平6-118446
出願日： 1992年09月30日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】【目的】 アクティブマトリクス型液晶表示装置に集積形成されるスイッチング素子用TFTの水素化処理を確実なものとしリーク電流の抑制並びに駆動電流の増大を図る。【構成】 液晶表示装置は、TFT基板1と対向基板2とを所定の間隙を介して積層し間隙内に液晶層3を封入充填したフラットパネル構造を有する。TFT基板1の内表面には透明導電膜4からなる画素電極5と、多結晶シリコン等の半導体薄膜7からなるTFT6であって画素電極5を駆動する為のスイッチング素子とが集積形成されている。対向基板2の内表面には対向電極17が形成されている。透明導電膜4と半導体薄膜7の電気接続領域を含む第2コンタクトホール15を被覆する様に、含有窒化膜等からなる水素拡散源膜16をパタニング形成する。
請求項（抜粋）：
透明導電膜からなる画素電極と、半導体薄膜からなる薄膜トランジスタであって該画素電極を駆動する為のスイッチング素子とが集積的に形成された一方の基板と、対向電極が形成されており所定の間隙を介して該一方の基板に対向配置された他方の基板と、該間隙内に挟持された液晶層とを備えた液晶表示装置であって、前記透明導電膜と前記半導体薄膜の電気接続領域を被覆する様に、水素拡散源膜をパタニング形成した事を特徴とする液晶表示装置。
IPC (2件)：
G02F 1/136 500
, H01L 29/784
