特許

J-GLOBAL ID：200903099875127758

NANDフラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法

発明者： 李 昌 ▲ゲン▼
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-204420
公開番号（公開出願番号）：特開2009-043397
出願日： 2008年08月07日
公開日（公表日）： 2009年02月26日
要約：

【課題】NANDフラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法を提供する。【解決手段】本発明によるNANDフラッシュメモリ装置は、複数のページを有するセルアレイと、前記複数のページのプログラムデータを格納するページバッファと、プログラム検証データを前記ページバッファに提供するためのデータ格納回路と、プログラム検証動作なしに前記複数のページをプログラムし、前記プログラム検証データを用いて前記複数のページに対するプログラム検証動作を行うための制御ユニッと、を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数のページを有するセルアレイと、 前記複数のページのプログラムデータを格納するページバッファと、 プログラム検証データを前記ページバッファに提供するためのデータ格納回路と、 プログラム検証動作なしに前記複数のページをプログラムし、前記プログラム検証データを用いて前記複数のページに対するプログラム検証動作を行うための制御ユニットと、を含むNANDフラッシュメモリ装置。

IPC (3件)：

G11C 16/02 ,  G11C 16/04 ,  G11C 16/06

FI (7件)：

G11C17/00 611A ,  G11C17/00 601T ,  G11C17/00 611G ,  G11C17/00 611E ,  G11C17/00 641 ,  G11C17/00 622E ,  G11C17/00 634G

Fターム (15件)：

5B125BA02 ,  5B125BA08 ,  5B125BA19 ,  5B125CA01 ,  5B125CA21 ,  5B125DB02 ,  5B125DB08 ,  5B125DB12 ,  5B125EA05 ,  5B125ED07 ,  5B125EE19 ,  5B125EF02 ,  5B125EF06 ,  5B125FA01 ,  5B125FA02