特許

J-GLOBAL ID：200903099879971103

半導体装置の製造方法

発明者： 高山 誠
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-033615
公開番号（公開出願番号）：特開2002-237491
出願日： 2001年02月09日
公開日（公表日）： 2002年08月23日
要約：

【要約】【課題】 従来、ベアーフレーム対応の小信号チップの裏面電極は、フレームの線膨張による伸縮に対する強度を増すため、複雑な厚い構造となっており、組立工程でのトラブルが多く、コストもかかっていた。【解決手段】 ウエファ裏面をB/G研削後、スピンエッチング処理を行うことにより、B/G研削時の微小クラックおよびウエファの歪みを除去し、フレームの伸縮に対する強度を増す。これにより、複雑な裏面電極構造を形成する必要がなく、厚みも薄くできるため、組立工程における裏面電極割れ不良の減少、フレームの伸縮に対するチップクラックの減少が実現でき、製造工程の簡素化と金使用量の低減によるコスト削減が可能となる。

請求項（抜粋）：

ウエファに半導体素子領域を形成後前記ウエファ裏面をバックグラインド研削し所望の仕上げ厚みにする工程と、前記ウエファ裏面をスピンエッチングする工程と、前記ウエファをプラズマ処理後前記ウエファに裏面電極を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/308 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/304 631 ,  H01L 29/41

FI (4件)：

H01L 21/308 G ,  H01L 21/28 A ,  H01L 21/304 631 ,  H01L 29/44 B

Fターム (16件)：

4M104AA01 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104FF02 ,  4M104FF13 ,  4M104GG20 ,  4M104HH08 ,  4M104HH20 ,  5F043AA02 ,  5F043DD01 ,  5F043DD30 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-057704   出願人：三洋電機株式会社